存在发烧和功耗问题 三星未通过英伟达HBM芯片测试

发布日期:2024-05-27 10:46    点击次数:184

这些问题动摇了三星HBM3芯片以致是行将推出的第五代HBM3E芯片的市时局位。

图注:三星公司

图注:三星公司

网科技讯 北京时辰5月24日,据了解情况的三名知情东说念主士清楚,三星电子的最新高带宽内存(HBM)芯片由于出现了发烧和功耗问题,未能通过英伟达(Nvidia)公司的测试,原盘算推算该芯片将会手脚英伟达的东说念主工智能处理器芯片被使用。

外媒称,这些问题动摇了三星HBM3芯片以致是行将推出的第五代HBM3E芯片的市时局位。

HBM芯片有助于处根由复杂的 AI 期骗步伐产生的大宗数据。跟着生成式 AI 上升的兴起,对复杂 GPU 的需求飙升,对 HBM 的需求也随之飙升。英伟达手脚占据民众 AI 期骗 GPU 市集约 80% 的份额的大型公司,一直被视为 HBM 制造买卖务增长的要津。

当今,尚不明晰这些问题是否不错轻佻处置,但据外媒报说念,未能情愿英伟达的条目已加重了业界和投资者的担忧,他们总结三星可能会在HBM鸿沟进一步落伍于竞争敌手SK海力士以及好意思光科技。

值得一提的是,三星对其在 HBM 鸿沟落伍地位展现出了担忧。三星此前更换了其半导体部门肃肃东说念主,称需要一位新东说念主来支吾这场影响行业的“危险”, 在小众但日益进军的 HBM 芯片鸿沟,这家民众最大的内存芯片制造商依然落伍于同业, SK 海力士约束着主流 HBM 市集的 90% 以上。 (作家/周文浩)

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